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Short circuit current vs. cell thickness in solar cells under rear illumination: a direct evaluation of the diffusion length

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ARTÍCULO CIENTÍFICO

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Fil.: Plá, Juan Carlos. Comisión Nacional de Energía Atómica. Departamento de Energía Solar; Argentina
Fil.: Tamasi, Mariana Julia Luisa. Comisión Nacional de Energía Atómica. Departamento de Energía Solar; Argentina
Fil.: Bolzi, Claudio Gustavo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Departamento de Energía Solar; Argentina
Fil.: Durán, Julio Cesar. Comisión Nacional de Energía Atómica. Departamento de Energía Solar; Argentina

Sede CNEA

Centro Atómico Constituyentes

Fecha de publicación

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Idioma

eng

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Resumen

The dependence of the short circuit current of a solar cell with its thickness is analysed for rear illumination. Under certain conditions, a simple linear regression in a semilogarithm scale is found. Using these results, an almost direct evaluation of the minority carrier diffusion length in the base region of crystalline silicon solar cells is achieved. On the other hand, from the experimental point of view, monochromatic light is not required and the equipment requirements are minimised. The model presented in this paper is theoretically evaluated using a 1-dimensional simulation code. Some preliminary experimental results are also shown.

Descripción

Palabras clave

Citación

Plá, J. C., Tamasi, M. J. L., Bolzi, C. G., Venier, G. L., & Durán, J. C. (2000). Short circuit current vs cell thickness in solar cells under rear illumination: a direct evaluation of the diffusion length. Solid-State Electronics, 44(4), 719-724.

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