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Formation a base temperature de defauts dans le silicium N bombarde par des rayons γ note

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ARTÍCULO CIENTÍFICO

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Fil: Messier, J Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Merlo Flores, J. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina

Sede CNEA

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fra

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Resumen

On a étudié par mesure d’effet Hall et de résistivité dans du silicium N de haute résistivité, les conditions de formation á basse température d’un niveau situé á 160 m eV de la bande de conduction. Letaux d’introduction de ce niveau en fonction de la température de bombardem ent ainsi que sa vitesse de formation á basse température, le difíérencie nettement des associations lacune-oxygéne observées par résonance nucléaire.

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