Publicación: Formation a base temperature de defauts dans le silicium N bombarde par des rayons γ note
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ARTÍCULO CIENTÍFICO
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Inventor
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Solicitante
Afiliación
Fil: Messier, J Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Merlo Flores, J. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Sede CNEA
Fecha de publicación
Fecha de creación
Idioma
fra
Nivel de accesibilidad
Resumen
On a étudié par mesure d’effet Hall et de résistivité dans du silicium N de haute résistivité, les conditions de formation á basse température d’un niveau situé á 160 m eV de la bande de conduction. Letaux d’introduction de ce niveau en fonction de la température de bombardem ent ainsi que sa vitesse de formation á basse température, le difíérencie nettement des associations lacune-oxygéne observées par résonance nucléaire.