Formation a base temperature de defauts dans le silicium N bombarde par des rayons γ note

Abstract

On a étudié par mesure d’effet Hall et de résistivité dans du silicium N de haute résistivité, les conditions de formation á basse température d’un niveau situé á 160 m eV de la bande de conduction. Letaux d’introduction de ce niveau en fonction de la température de bombardem ent ainsi que sa vitesse de formation á basse température, le difíérencie nettement des associations lacune-oxygéne observées par résonance nucléaire.