Recristallisation secondaire et recristallisation apres ecrouissage critique de l'uranium de haute purete

cnea.tipodocumentoARTÍCULO CIENTÍFICO
dc.contributor.authorAmbrosis De Libanati, Nelly
dc.contributor.authorCalais, Daniel
dc.contributor.authorLacombe, Paul
dc.date.accessioned2025-03-25T13:09:56Z
dc.date.available2025-03-25T13:09:56Z
dc.date.issued1963
dc.description.abstractOn a observé sur de l'uranium de haute pureté (d'origine électrolytique) la croissance de gros grains soit par recristallisation secondaire consécutive à un écrouissage par laminage élevé et recuit prolongé en haut de la phase α, soit par écrouissage critique et recuit appliqué à une texture de recristallisation primaire. Seul l'uranium de haute pureté donne naissance à ces deux types de croissance de gros grains. Ces deux méthodes de croissance fournissent donc un critère qualitatif très sûr de la pureté de l'uranium. La recristallisation secondaire donne naissance à des cristaux de plus petite dimension que la croissance après écrouissage critique, car il subsiste toujours, quelle que soit la durée et la température du recuit, des restes de la texture à grains fins de recristallisation primaire. Par écrouissage critique au contraire, il est possible d'obtenir de très gros grains très parfaits (de 1 à 3 cm2 de surface) avec disparition complète de la texture de recristallisation primaire. Les orientations cristallines d'un très grand nombre de grains formés par les deux méthodes de croissance ont été déterminées par diagramme de Laue en retour. Les cristaux de recristallisation secondaire possèdent une texture beaucoup plus prononcée que celle développée par la croissance de cristaux par écrouissage critique. Cependant dans les deux cas, il est remarquable que l'axe de tous les cristaux semble jouer un rôle essentiel dans la croissance puisqu'il est toujours sensiblement orienté parallèlement à la direction de laminage. C'est seulement dans le cas où l'écrouissage appliqué à la texture de recristallisation primaire dépasse nettement le taux d'écrouissage critique que l'on observe la croissance par recuit ultérieur de cristaux ayant des orientations très diverses. On a tenté d'expliquer ces deux modes de croissance par recristallisation secondaire ou par écrouissage critique en reliant les textures de déformation obtenues par écrouissage élevé par laminage aux textures soit de recristallisation secondaire, soit de recristallisation après écrouissage critique.
dc.description.institutionalaffiliationFil.: Ambrosis De Libanati, Nelly Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
dc.description.institutionalaffiliationexternalFil.: Calais, Daniel Centre de Recherches Métallurgiques de l'Ecole des Mines de Paris; Francia
dc.description.institutionalaffiliationexternalLacombe, Paul Centre de Recherches Métallurgiques de l'Ecole des Mines de Paris; Francia
dc.format.extent23-42 p.
dc.format.extentapplication/pdf
dc.identifier.cnea04.63.04
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.1016/0022-3115(63)90114-4
dc.identifier.urihttps://nuclea.cnea.gob.ar/handle/20.500.12553/6306
dc.language.ISO639-3fre
dc.publisherElsevier
dc.relation.ispartofJournal of Nuclear Materials Vol. 10, N° 1, September 1963, 23-42 pp.
dc.rights.accesslevelinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.licenseCreative Commons Atribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
dc.subject.inisRECRISTALIZACION
dc.subject.inisDEFORMACIONES
dc.subject.inisCRISTALES
dc.subject.inisINTERVALO DE TEMPERATURA 0400-1000 K
dc.subject.inisURANIO
dc.subject.inisRECRYSTALLIZATION
dc.subject.inisSTRAINS
dc.subject.inisCRYSTALS
dc.subject.inisTEMPERATURE RANGE 0400-1000 K
dc.subject.inisURANIUM
dc.titleRecristallisation secondaire et recristallisation apres ecrouissage critique de l'uranium de haute purete
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/artículo
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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