Fabricación de detectores semiconductores de Si(Li) para reacciones nucleares
| cnea.tipodocumento | Informes | |
| dc.contributor.author | Erramuspe, H.J. | es |
| dc.date.accessioned | 2017-06-06T20:06:45Z | |
| dc.date.issued | 1970 | es |
| dc.description.abstract | Se presenta un método para la fabricación de detectores de estado sólido de Si (Li) usando nuevas técnicas para control de profundidad de la zona de compensación total y para control automático del proceso de drift. Se dan algunas características de los detectores fabricados. | en_US |
| dc.description.institutionalaffiliation | Fil:Erramuspe, H.J. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). República Argentina | es |
| dc.identifier.govdoc | 287 | es |
| dc.identifier.uri | nuclea.cnea.gob.ar/handle/20.500.12553/256 | |
| dc.publisher | Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA) | es |
| dc.rights.license | Creative Commons Attribution 4.0 International (CC BY-NC-ND 4.0) | |
| dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | |
| dc.subject | INFORMES | es |
| dc.title | Fabricación de detectores semiconductores de Si(Li) para reacciones nucleares | es |
| dc.type | INFORME TÉCNICO | es |