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Hydrogenic impurities in triangular GaAs quantum wells

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cnea.tipodocumentoINFORME TÉCNICO
dc.contributor.authorFerreyra, Jorge M.
dc.contributor.authorProetto, César Ramón
dc.contributor.cneaproductorComisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Centro Atómico Bariloche
dc.date.accessioned2025-09-03T14:58:45Z
dc.date.available2025-09-03T14:58:45Z
dc.date.issued1990
dc.description.abstractA variational calculation of the ground state of shallow donors and acceptors in triangular GaAs quantum wells is presented. This is connected to the properties of hydrogenic impurities in sawtooth-doped superlattices. The binding energy, lateral extension, and vertical extension are calculated as functions of the impurity position In the well concentration.
dc.description.institutionalaffiliationFil: Ferreyra, Jorge M. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
dc.description.institutionalaffiliationProetto, César Ramón Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
dc.format.extent9 p.
dc.format.extentapplication/pdf
dc.identifier.cneaINFORME TÉCNICO CNEA-CAB 90/033
dc.identifier.urihttps://nuclea.cnea.gob.ar/handle/20.500.12553/7127
dc.language.ISO639-3eng
dc.publisherComisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
dc.rights.accesslevelinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.licenseCreative Commons Atribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
dc.subject.inisPOZOS CUÁNTICOS
dc.subject.inisIMPUREZAS
dc.subject.inisHIDRÓGENO
dc.subject.inisMATERIALES SEMICONDUCTORES
dc.subject.inisMATERIALES
dc.subject.inisQUANTUM WELLS
dc.subject.inisIMPURITIES
dc.subject.inisHYDROGEN
dc.subject.inisSEMICONDUCTOR MATERIALS
dc.subject.inisMATERIALS
dc.titleHydrogenic impurities in triangular GaAs quantum wells
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/report
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/informe técnico
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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