Electronic band-structure of GaAs sawtooth doping superlattices

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cnea.tipodocumentoINFORME TÉCNICO
dc.contributor.authorFerreyra, Jorge M.
dc.contributor.authorProetto, Cesar Ramón
dc.contributor.cneaproductorComisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Centro Atómico Bariloche
dc.date.accessioned2025-09-03T14:58:52Z
dc.date.available2025-09-03T14:58:52Z
dc.date.issueds/f
dc.description.abstractWe report simple calculations concerning the band structure and charge distribution of GaAs sawtooth doping superlattices as function of period and doping concentration. We have obtained, within the effective mass approximation, analytic expressions for the subband energy levels and envelope wave functions of the system.
dc.description.institutionalaffiliationFil: Ferreyra, Jorge M. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
dc.description.institutionalaffiliationProetto, Cesar Ramón Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
dc.format.extent31 p.
dc.format.extentapplication/pdf
dc.identifier.urihttps://nuclea.cnea.gob.ar/handle/20.500.12553/7152
dc.language.ISO639-3eng
dc.publisherComisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
dc.rights.accesslevelinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.licenseCreative Commons Atribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
dc.subject.inisENSAYOS
dc.subject.inisMATERIALES
dc.subject.inisMATERIALES SEMICONDUCTORES
dc.subject.inisGAPS ESCALONADOS
dc.subject.inisSUPERESTRUCTURAS
dc.subject.inisTESTING
dc.subject.inisMATERIALS
dc.subject.inisSEMICONDUCTOR MATERIALS
dc.subject.inisGRADED BAND GAPS
dc.subject.inisSUPERLATTICES
dc.titleElectronic band-structure of GaAs sawtooth doping superlattices
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/report
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/informe técnico
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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