Fabricación de detectores semiconductores de Si (Li) para reacciones nucleares

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Instituto de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas

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Se presenta un método para la fabricación de detectores de estado sólido de Si (Li) usando nuevas técnicas para control de profundidad de la zona de compensación total y para control automático del proceso de drift. Se dan algunas características de los detectores fabricados.

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