Publicación:
Low angle electron scattering in thermal resistivity

Cargando...
Miniatura

Tipo de recurso

ARTÍCULO CIENTÍFICO

Responsable institucional (informe)

Compilador

Diseñador

Contacto (informe)

Promotor

Titular

Inventor

Tutor de tesis

Solicitante

Afiliación

Fil.: Bressan, O.J. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina
Fil.: Ridner, A.E. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina
Fil.: de la Cruz, F. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina

Sede CNEA

Centro Atómico Bariloche

Fecha de publicación

Fecha de creación

Idioma

eng

Nivel de accesibilidad

Proyectos de investigación

Unidades organizativas

Número de la revista

Resumen

Electrical ( rho ) and thermal (W) resistivity measurements in very dilute In alloys between 1K and 4K show a temperature dependence expressed by rho = rho 0+ beta T5 and WT=(WT)0+AT3+BT5. The BT5 term in the thermal resistivity is due to a contribution from a 'diffusion-like process' of electrons over the Fermi surface, as is the one that describes the temperature dependence of the electrical resistivity. This claim is supported by the experimental fact that the Lorenz number defined as L= beta /B coincides with the value given by L= rho 0/(WT)0 which in turn agrees with the free electron value within 15%.

Descripción

Palabras clave

Citación

O J Bressan et al 1975 J. Phys. F: Met. Phys. 5 1902

Colecciones