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n-p interactions at 1.59 GeV/e

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ARTÍCULO CIENTÍFICO

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Fil: Alitti, J. Laboratoire de Physique Corpuseulaire à Haute Energie; Francia
Baton, J. P. Laboratoire de Physique Corpuseulaire à Haute Energie; Francia
Berthelot, A. Laboratoire de Physique Corpuseulaire à Haute Energie; Francia
Daudin, A. CLaboratoire de Physique Corpuseulaire à Haute Energie; Francia
Deler, B. Laboratoire de Physique Corpuseulaire à Haute Energie; Francia
Goussu, O. Laboratoire de Physique Corpuseulaire à Haute Energie; Francia
Jariol, M. A. Laboratoire de Physique Corpuseulaire à Haute Energie; Francia
Kochowki, E. Laboratoire de Physique Corpuseulaire à Haute Energie; Francia
Lewin, C. Laboratoire de Physique Corpuseulaire à Haute Energie; Francia
Neveu René, M. Laboratoire de Physique Corpuseulaire à Haute Energie; Francia

Sede CNEA

02.63.16

Fecha de publicación

Fecha de creación

Idioma

eng

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Proyectos de investigación

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Número de la revista

Resumen

Report on the investigation of interactions in n-p collisions at a pion momentum of 1.59 GeV/e, by means of the 50 cm Saclay liquid hydrogen bubble chamber, operating in a magnetic field of 17.5 kG. The results obtained concern essentially the elastic scattering and the inelastic scattering accompanied by the production of either a single pion in n-p p-π π0 and n π- π + interactions, or by more than one pion in four-prong events. The observed angular distribution for the elastic scattering in the diffraction region, can be approximated by an exponential law.
Informe sobre la investigación de interacciones en colisiones n-p a un momento piónico de 1,59 GeV/e, mediante la cámara de burbujas de hidrógeno líquido Saclay de 50 cm, operando en un campo magnético de 17,5 kg. Los resultados obtenidos se refieren esencialmente a la dispersión elástica y la dispersión inelástica acompañadas por la producción de un solo pión en interacciones n-p p-π π0 y n π- π +, o por más de un pión en eventos de cuatro puntas. La distribución angular observada para la dispersión elástica en la región de difracción puede aproximarse mediante una ley exponencial.

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