TESIS DE POSTGRADO
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Ítem Acceso Abierto Tratamientos superficiales antirreflectantes y elaboración de junturas para celdas solares de silicio cristalino(Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, 1998-04) Plá, Juan Carlos; Durán, Julio CésarSe analizaron los distintos tratamientos antirreflectantes (AR) para celdas solares de silicio monocristalino: las multicapas dieléctricas y la textura superficial. Se optimizaron numéricamente sistemas AR para superficies planas de silicio de una y dos capas dieléctricas considerando distintos espectros de la radiación solar incidente y diferentes características del dispositivo. En particular, se evaluó la influencia del dióxido de silicio pasivante sobre el comportamiento AR de la multicapa. Asimismo, se estudió el caso específico de celdas solares para usos espaciales. Con respecto a la textura superficial, se realizó un análisis teórico original basado en la resolución electromagnética rigurosa de la dispersión de la radiación incidente, en lugar de los modelos de la óptica geométrica corrientemente utilizados en la literatura. Se realizaron cálculos para un medio conductor perfecto, los cuales constituyen una primera aproximación al problema real. Se pusieron a punto técnicas de elaboración de textura superficial mediante ataques químicos básicos anisótropos, analizando los resultados obtenidos mediante observación por microscopía electrónica y medición de la reflectancia espectral. Utilizando estas técnicas, se fabricaron por primera vez en el país celdas solares de silicio cristalino que utilizan textura superficial más una capa dieléctrica como técnica AR. El proceso completo incluye la preparación de muestras, el texturado superficial, la difusión de dopantes para la generación de las junturas, y el depósito de contactos por medio de técnicas fotolitográficas. Los dispositivos obtenidos fueron caracterizados midiendo la curva corrientetensión, la cual fue comparada con el resultado de simulaciones numéricas. Las mejores celdas elaboradas poseen eficiencias de aproximadamente el 17%. En el caso particular del proceso de elaboración de las junturas, el análisis de métodos sencillos presentes en la literatura reciente condujo a proponer nuevas variantes que permiten superar algunas de sus desventajas. Finalmente, la caracterización electrónica de los dispositivos obtenidos se realizó utilizando un método original basado en la técnica OCVD (decaimiento de la tensión de circuito abierto), el cual permite mediante una interpretación sencilla de los resultados la obtención del tiempo de vida media efectivo de los portadores minoritarios en el dispositivo final.Ítem Acceso Abierto Óxidos delgados para micro y nanoelectrónica: Degradación, ruptura y aplicaciones tecnológicas(Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física, 2016-03-21) Quinteros, Cynthia Paula; Palumbo, Félix; Levy, PabloEl trabajo desarrollado en esta Tesis se focaliza en el estudio de mecanismos de transporte eléctrico involucrados en la degradación y eventual ruptura de películas dieléctricas (óxidos delgados). Éstos forman parte de una infinidad de dispositivos que son fabricados en vistas de posibles aplicaciones tecnológicas. El estudio de la degradación adquiere relevancia debido a que es preciso saber cómo se degrada cada componente y cómo ello incide en el comportamiento eléctrico general del dispositivo. Las estructuras estudiadas consisten en apilamientos metal/ óxido/ semiconductor (del inglés MIS) que pueden ser pensados como capacitores y que, en particular, constituyen la estructura básica para la construcción de transistores de efecto campo (MOSFET, según su sigla en inglés). A su vez, la misma estructura se encuentra presente en otro tipo de dispositivo conque se trabajó: las NROM (Nitride Read-Only Memories); que constituyen un tipo particular de las ampliamente difundidas memorias FLASH. Se trata de apilamientos fabricados a nivel comercial que se emplean actualmente como memorias no volátiles. Además, en la misma línea de analizar propiedades eléctricas de óxidos bajo distinto tipo de estímulos, se incursionó en el estudio de estructuras metal/ aislante/ metal (del inglés MIM). En ellas, la conmutación resistiva se muestra como una de las posibles aplicaciones de algunos de los mismos óxidos mencionados con anterioridad. Complementariamente, se analiza la factibilidad de su uso como mecanismo de memoria, en comparación con los mencionados NROM. El trabajo consistió en la caracterización eléctrica, comprensión de los mecanismos de conducción y/o conmutación así como el estudio bajo condiciones de degradación tales como radiación (de fotones , de iones pesados, protones y rayos X) y operación prolongada (procesos de estrés eléctrico). Si bien las distintas estructuras provienen de diversas colaboraciones con otros grupos de investigación, también se efectuaron algunas incursiones en los procesos de fabricación. Este trabajo comienza con la descripción de los efectos producidos por la incidencia de distintos tipos de radiación en estructuras MIS (metal/ aislante/ semiconductor), a partir de un análisis comparativo. Complementariamente, en los mismos apilamientos, se estudió la degradación debida a la aplicación prolongada de un voltaje. Luego se presenta un estudio orientado a comprender si la descarga producida por rayos X incidiendo en estructuras MOSFET condiciona la persistencia de las cargas atrapadas en las cercanías del dato perdido. A continuación, la incursión en estructuras de tipo MIM dio lugar a una serie de indagaciones vinculadas con el tópico de la conmutación resistiva. Se verá que muchas de las técnicas y aprendizajes adquiridos, durante los estudios precedentes, resultaron ventajosos al momento de encarar esta línea. Se puso de manifiesto la conmutación resistiva en muestras basadas en MgO y HfO2. En el primer caso, una conmutación entre estados muy disímiles (en orden de magnitud de la corriente)sugirió la propuesta de alternativas de fabricación. En el segundo, una amplia variedad de experimentos fueron empleados con la finalidad de comprender el comportamiento evidenciado por dicho material, que resultó destacarse por la particularidad de sus propiedades (autolimitación de corriente, ausencia de electroformado, resistencia al estrés eléctrico, etc.).Ítem Acceso Abierto Contribución al estudio experimental de la degradación de materiales de uso especial producida por la radiación existente en órbitas de baja altura Y por las condiciones ambientales en vuelo(Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Área Académica. Gerencia Instituto Sabato, 2008) Vertanessian, Alejandro; Filevich, Alberto; Alurralde, Martín Alejo; Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Área Académica. Gerencia Instituto SabatoEl objetivo del presente trabajo de tesis ha sido estudiar la influencia del ambiente espacial, incluyendo radiación, sobre los componentes sensibles que integran el diseño de partes de satélites. La motivación inicial fue la necesidad de evaluar la resistencia a la radiación de las celdas solares a ser utilizadas para el Plan Satelital Argentino, y se tuvo en cuenta también la posibilidad de extender esa evaluación a otros dispositivos y/o materiales cuyo empleo se prevé con propósitos similares. Los trabajos fueron realizados como participación en el Grupo de Daño por Radiación de la división de Energía Solar de la CNEA, bajo convenio con CONAE, y en el marco de la Ley de Innovación Tecnológica. En el transcurso del presente trabajo se ha dado énfasis al desarrollo de la infraestructura necesaria para estos estudios, ya que inicialmente se carecía por completo de ella.Para la realización del estudio se consideraron tres factores principales, presentes en rbitas satelitales: influencias de la condición de alto vacío, del ciclado térmico, y de la presencia de radiación. El vacío y el ciclado térmico a que se someten los componentes satelitales en vuelo durante su vida útil se traducen en solicitaciones mecánicas y estructurales que pueden deteriorar el conexionado, las soldaduras y eventualmente el encapsulado de componentes, y que conducen a un “envejecimiento” del conjunto. La radiación presente en el espacio puede deteriorar materiales poliméricos y especialmente, a través de diferentes procesos, puede inducir daño, transitorio o permanente, y producir modificaciones en las características de componentes activos que incluyen semiconductores o aisladores. En el presente trabajo se describe en detalle la infraestructura que ha sido construida con el propósito mencionado y los ensayos realizados en componentes satelitales. El resultado de estos ensayos ha permitido evaluar y calificar componentes y procesos de fabricación, especialmente en relación a su resistencia a la radiación y al ciclado térmico. Esos componentes están destinados a integrar los paneles solares de satélites de la serie SAOCOM. Esos resultados han sido objeto de informes emitidos por el Grupo de Daño por Radiación de la CNEA y dirigidos a CONAE, y se exponen con detalle en el presente trabajo. También se han realizado publicaciones en congresos internacionales sobre el tema y en revistas especializadas.Ítem Acceso Abierto Optimización teórico-experimental de capas dieléctricas antirreflectantes en celdas solares de silicio para aplicaciones espaciales(Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Área Académica. Gerencia Instituto Sabato, 2004) Barrera, Marcela Patricia; Plá, Juan Carlos; Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Área Académica. Gerencia Instituto SabatoLa reflectividad de los semiconductores es, en general, mayor a un 30 %. En el caso del silicio, esta cantidad varía desde aproximadamente un 33% en el infrarrojo (IR) hasta un 55% en el ultravioleta (UV). Es por ello que, para incrementar la eficiencia de las celdas solares de silicio, es necesario disminuir la reflectividad de la cara frontal de la celda solar, maximizando de este modo la fracción de energía absorbida; la forma de conseguir esto es mediante el uso de técnicas antirreflectantes (AR). A tal fin se han desarrollado distintas técnicas AR, las cuales consisten en el depósito de multicapas dieléctricas, la textura superficial, o la combinación de ambas, esto es depositando la multicapa sobre la superficie ya texturada. Dos materiales dieléctricos con las características adecuadas para funcionar como AR en celdas solares de Si encapsuladas son el TiO2 y el ZnS. En este trabajo se realizó la optimización numérica del sistema MgF2–vidrio–TiO2–SiO2–Si, que es una representación de la celda de Si cristalino encapsulada para aplicaciones espaciales, para lo cual se consideró el espectro solar AM0 y una respuesta espectral típica de celdas solares de Si cristalino. Se concluyó que el espesor de SiO2 pasivante debía ser lo más delgado posible mientras mantuviera sus propiedades pasivantes. Considerando una pérdida de a lo sumo un 1 % de la corriente de cortocircuito, se obtuvo un intervalo de tolerancia para la desviación de los espesores de TiO2 y MgF2 respecto de sus valores óptimos. La fabricación de muestras con una bicapa de TiO2/SiO2 sobre un sustrato de Si se realizó mediante un proceso térmico en ambiente oxidante luego de depositar una película de Ti sobre la oblea de Si por evaporación en cámara de vacío. Por otro lado, también se depositó ZnS sobre Si mediante evaporación térmica. En ambos tipos de muestras, se realizó la caracterización óptica a partir de la medición de reflectividad espectral, la cual permitió determinar, ajustando la curva medida por medio de simulaciones teóricas, los espesores de las capas de TiO2, SiO2 y ZnS. Los espesores de Ti y ZnS medidos con un monitor de espesores in situ durante la evaporación resultaron consistentes con los valores de los espesores de TiO2 y ZnS obtenidos a partir de la simulación. El sistema MgF2-vidrio-TiO2-SiO2-Si fue elaborado tomando en cuenta los espesores obtenidos mediante la optimización numérica. A partir de la caracterización óptica, se obtuvo una buena correspondencia entre los valores de reflectancia medidos y el ajuste teórico. Finalmente, se fabricaron celdas solares de Si cristalino utilizando dos técnicas AR: textura y ZnS como capa dieléctrica. Los dispositivos no encapsulados y con ZnS como AR son las primeras celdas con AR optimizado para aplicaciones espaciales elaboradas en el Grupo Energía Solar.Ítem Acceso Abierto Caracterización y elaboración de dispositivos fotovoltaicos para uso espacial(Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Área Académica. Gerencia Instituto Sabato, 2015-12-18) Socolovsky, Hernán Pablo; Plá, Juan Carlos; Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Área Académica. Gerencia Instituto SabatoEl Departamento Energía Solar (DES) de la Comisión Nacional de Energía Atómica de Argentina (CNEA) realiza actividades de investigación y desarrollo relacionadas con el aprovechamiento de la energía solar mediante conversión fotovoltaica para aplicaciones espaciales y terrestres. El desarrollo de dispositivos solares para satélites comenzó en 1995, en el marco de una colaboración entre la CNEA y la Comisión Nacional de Actividades Espaciales (CONAE). A partir de marzo de 2001, luego de la firma del primer convenio de cooperación específica entre la CNEA y la CONAE, el DES del Centro Atómico Constituyentes (CAC) se encuentra trabajando en el desarrollo de paneles solares para misiones satelitales previstas en el Plan Espacial Nacional. Este convenio, encuadrado dentro de la Ley Nº 23.877 de Promoción y Fomento a la Innovación Tecnológica, dio lugar a la iniciación en el CAC del Subproyecto Paneles Solares como parte de los Proyectos SAC-D y SAOCOM, para diseñar, fabricar y ensayar los paneles fotovoltaicos de ambas misiones a través de la firma de sucesivos contratos de asistencia tecnológica entre la CNEA y la CONAE. Las actividades previstas incluían, además del desarrollode las tecnologías de fabricación y ensayo de los paneles, la elaboración de modelos teóricos que permitieran diseñar y simular el funcionamiento del sistema de generación de energía eléctrica (sistema de potencia) del satélite a lo largo de la vida útil de la misión. La presente Tesis Doctoral fue realizada en el DES de la CNEA, en el marco de la colaboración institucional entre CNEA y CONAE mencionada anteriormente cuyo objetivo principal es el de contar en el país con técnicas específicas de diseño, simulación, fabricación, caracterización y ensayo de paneles solares para usos espaciales. Las actividades realizadas dentro de la Tesis se centraron en la caracterización tanto eléctrica como electrónica de dispositivos fotovoltaicos para uso espacial. En particular se estudiaron las celdas solares multijuntura basadas en semiconductores IIIV, el componente principal de los paneles solares para aplicaciones espaciales. Como parte del estudio de las celdas solares multijuntura III-V, se presentan en este trabajo el desarrollo, la puesta en operación y los primeros resultados de un equipo para la medición de respuesta espectral de dichas celdas, las mismas utilizadas en los paneles solares de las misiones SAOCOM y SAC-D. En el siguiente capítulo se presenta un análisis detallado sobre la caracterización I-V (tensión vs. corriente) de módulos fotovoltaicos integrados con estos dispositivos a través de la técnica denominada multiflash. Esta caracterización permite determinar experimentalmente la potencia generada por un módulo solar de uso espacial previo a ser utilizado en una misión. El análisis es abordado mediante el modelado y simulación de una celda solar de triple juntura (TJ) desde el punto de vista eléctrico con su consecuente contrastación experimental. En el último capítulo se pasa revista a la integración eléctrica de los paneles solares de las misiones SAOCOM y SAC-D/Aquarius, llevada a cabo dentro del laboratorio de integración de paneles para uso espacial del DES, y a la elaboración de sensores solares gruesos de posición utilizados en las mismas misiones. Finalmente se presenta la caracterización corriente de cortocircuito vs. ángulo de incidencia para dichos sensores solares, así como sus aplicaciones en otras misiones espaciales.Ítem Acceso Abierto Elaboración, caracterización y optimización de técnicas de deposición de contactos metálicos en sensores solares para aplicaciones espaciales(Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Área Académica. Gerencia Instituto Sabato) Cuzal Toc, Rodrigo Alexánder; Martínez Bogado, Mónica; Tamasi, Mariana; Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Área Académica. Gerencia Instituto SabatoDesde la década de los 90, el Departamento de Energía Solar (DES) de la Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA) investiga y desarrolla sensores de radiación solar con aplicaciones para usos terrestres y espaciales. Durante el trabajo de esta Tesis, se fabricaron un conjunto de sensores de silicio cristalino que presentaron problemas de adherencia en los contactos metálicos. Con el objetivo de resolver el problema presentado se realizaron mejoras en el equipo de electrodeposición de plata, modificando el sistema de sujeción de varillas de acero inoxidable y mecanizando nuevos soportes del sistema de fijación. Además, se realizó un análisis por microscopía electrónica de barrido de los sensores descartados con el objetivo de encontrar impurezas no deseadas en la interfaz metal semiconductor. Los resultados del análisis de las muestras examinadas no presentaron contaminantes. Finalmente, con las modificaciones implementadas se elaboraron y caracterización eléctrica y electrónicamente un nuevo conjunto de sensores que no presentan problemas de adherencia en los contactos metálicos seguidamente del proceso de engrosado y posterior al tratamiento térmico y mostraron parámetros eléctricos acordes a las especificaciones de diseño del sensor.Ítem Acceso Abierto Diseño y fabricación de films a base de óxidos para aplicaciones en espintrónica(2021) Carrero Lobo, Aneely Alejandra; Steren, Laura B.Hoy en día existe gran interés en la integración de óxidos de perovskita en sustratos monocristalinos de silicio con el objetivo de mejorar la actuación de los dispositivos electrónicos y ampliar sus funcionalidades. Sin embargo, el crecimiento de óxidos epitaxiales y de calidad sobre silicio aún hoy en día sigue siendo un desafío, debido a la alta reactividad del silicio con el oxígeno y a los desajustes de red entre óxido/sustrato. Con la finalidad de desarrollar dispositivos novedosos y multifuncionales propusimos en esta tesis la fabricación de multiferroicos artificiales consistentes en multicapas que alternan componentes ferroeléctricas y ferromagnéticas. En una primera etapa de la tesis se puso a punto el crecimiento por ablación laser (PLD) de capas delgadas ferromagnéticas de tipo La0.66Sr0.33MnO3 (LSMO), seleccionando capas tapón o buffers de YSZ y CeO2 que permitieran confinar la difusión de oxígeno y mejoraran el acople cristalino entre el sustrato y la película de interés. La optimización del proceso de crecimiento se llevó a cabo realizando una caracterización detallada del apilamiento de las distintas capas, su composición química, la calidad y tipo de estructura cristalina así como las propiedades magnéticas y eléctricas de este sistema. Los distintos ensayos permitieron constatar la excelente cristalinidad de las muestras, la presencia de interfaces relativamente abruptas y de superficies lisas. Nuestro estudio mostró que es posible después de una optimización cuidadosa de los parámetros de crecimiento y la selección apropiada de las capas buffer la integración de películas de LSMO con propiedades magnéticas y eléctricas controladas sobre sustratos monocristalinos de silicio por PLD. En la segunda etapa se trabajó en la construcción de multiferroicos alternando capas delgadas de LSMO y BaTiO3 (BTO) sobre silicio. Para ello se optimizó el crecimiento de las distintas componentes para luego integrar exitosamente bicapas de tipo LSMO/BTO en silicio. Las bicapas mostraron tener interfaces definidas y buena cristalinidad. Se confirmó que las manganitas presentan en estas series de muestras propiedades ferromagnéticas comparables a las de películas de LSMO individuales. Se analizó el rol de las interfaces sobre las propiedades de estos sistemas examinando las propiedades de bicapas BTO/LSMO. Se trabajó igualmente en el crecimiento de electrodos metálicos de LaNiO3 (LNO) para poder controlar la polarización del ferroeléctrico en multicapas. Se lograron capas orientadas en dirección (00h) con baja rugosidad superficial y estructura cristalina relajada respecto al sustrato. Finalmente se fabricaron multicapas LSMO/BTO/LNO cuyas propiedades cristalinas se analizaron, determinando el efecto de las tensiones en la multicapa. Estas heteroestructuras presentan una combinación bastante prometedora para utilizarse en la innovación de dispositivos, como por ejemplo en memorias multiferroicas, donde se aproveche el acoplamiento magnetoeléctrico y magneto-elástico a través de la interfaz FE/FM.Ítem Acceso Abierto Simulación y caracterización del daño por radiación en celdas solares(2019) García, Javier Andrés; Pla, Juan; Alurralde, Martín A.La principal fuente de energía en satélites y sondas espaciales es la provista por el Sol a través de la conversión fotovoltaica de sus paneles solares. Por este motivo es crucial, por un lado, garantizar la durabilidad de las celdas solares durante el tiempo previsto en la misión y, por otro, aumentar su eficiencia debido al continuo incremento de la demanda de energía eléctrica de sus instrumentos. El Departamento Energía Solar (DES) de la Comisión Nacional de Energía Atómica de Argentina (CNEA) realiza actividades de investigación y desarrollo relacionadas con el aprovechamiento de la energía solar mediante conversión fotovoltaica para aplicaciones espaciales y terrestres. La presente tesis, realizada en el DES, tiene como objetivo general cubrir la necesidad de contar con una técnica que caracterice la estructura de los defectos presentes en los semiconductores que constituyen las celdas solares, como una herramienta adicional para evaluar y predecir el daño producido por la radiación espacial sobre estas, ya que este causa la degradación de su prestación. En este marco, resulta fundamental conocer el comportamiento de los dispositivos al ser sometidos a experimentos de daño por radiación con dosis acordes con la órbita y la duración de cada misión particular, para así realizar el correcto dimensionamiento de los paneles solares. Dado que se desconoce el efecto de cada tipo de defecto producido por la radiación en la prestación de las celdas solares, el objetivo particular del presente trabajo es determinar experimentalmente la estructura de defectos electrónicamente activos producida en los dispositivos bajo estudio antes y después de las experiencias de daño por radiación utilizando la técnica Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS). Para ello se repasó la fenomenología física involucrada en la conversión fotovoltaica de la energía solar, la descripción del ambiente espacial, y el efecto producido por la radiación en los materiales semiconductores. Además, se estudiaron los principios básicos que regulan el funcionamiento de la espectroscopía DLTS, particularmente las propiedades de la capacidad de la juntura semiconductora y cómo se ve afectada en presencia de defectos. A partir de esto se estudió la forma de su aplicación experimental y el análisis necesario para determinar la energía de activación, la sección de captura y la densidad de los defectos a partir de los resultados experimentales. Utilizando este conocimiento se implementó la técnica en el DES. Dado que no se contaba con desarrollos previos, se repasaron las condiciones técnicas para su implementación, se realizaron desarrollos de hardware y software, y finalmente se realizó la puesta a punto del sistema y su validación. Con la implementación de la técnica DLTS finalizada, se realizaron experimentos de daño por radiación con protones de 10 MeV en el acelerador de iones pesados TANDAR de la CNEA sobre sensores solares de silicio fabricados en el DES. Estas experiencias fueron diseñadas y realizadas específicamente para aplicar la técnica DLTS con el desarrollo implementado. Se realizaron caracterizaciones de las muestras antes y después de las irradiaciones, utilizando técnicas previamente implementadas en el DES, que mostraron la degradación de los sensores a medida que aumentaba la fluencia de la irradiación. Finalizadas las irradiaciones se realizaron las mediciones y análisis de DLTS, arrojando como resultado la energía de activación, la sección de captura y la densidad para cada fluencia estudiada de cada defecto provocado por la radiación. Por otra parte se realizaron cálculos numéricos de la capacidad, tanto estacionaria como transitoria, de junturas semiconductoras con defectos introducidos a priori a fin de simular la aplicación de la técnica DLTS. La introducción de mejoras originales en el modelo analítico normalmente utilizado, que incluyeron la eliminación de aproximaciones y la incorporación de modelos físicos de las propiedades electrónicas, permitió refinar el análisis de de los resultados experimentales, estudiar los errores provocados por las condiciones experimentales sobre el cálculo de las características de los defectos, así como mejorar, en algunos casos, el ajuste de dichos resultados. Por último, en base a las simulaciones y las características del equipo desarrollado, se propuso como trabajo futuro mejorar el control térmico a fin de aumentar la resolución en temperatura del dispositivo experimental, ya que esta es la variable más importante para reducir el error experimental. Por otro lado se propone seguir trabajando en la mejora del modelo teórico de la capacidad con la perspectiva de perfeccionar la fidelidad en la reproducción de los espectros experimentales y, consecuentemente, la extracción de los parámetros de los defectos.Ítem Acceso Abierto Estudio de daño por radiación en semiconductores y celdas solares III-V(2019) Yaccuzzi, Exequiel Eliseo; Pla, Juan; Giudici, PaulaEn el marco del desarrollo de una nueva prótesis valvular cardíaca y habiéndose seleccionado como material para su construcción una aleación de Ti-6Al-4V recubierta con una película de óxido de titanio, en la presente Tesis Doctoral se aborda el estudio de la combinación de técnicas de oxidación anódica y sol gel por inmersión para la obtención de las películas de TiO2 dopadas con Ag y con tratamiento UV. Las películas para este tipo de dispositivos deben ser resistentes al desgaste, hemocompatibles y de ser posible con propiedades antibacterianas. En este trabajo se sintetizaron películas de TiO2 dopadas con plata y sin dopar, en un proceso de dos capas, primeramente, un proceso de anodización para buscar resistencia mecánica y luego un recubrimiento de sol-gel por inmersión, se logró incorporar plata a la película usando nitrato de plata en la preparación del sol. También, se evaluó el postratamiento con radiación UV-C. Luego se caracterizaron las películas obtenidas, en cuanto a: rugosidad, morfología, espesor, estructura cristalina, mojabilidad y energía libre superficial. Experimentalmente se evaluó la resistencia al desgaste (ball-on-flat reciprocante), la actividad antibacterial contra S. aureus (ensayo de halo de inhibición, ensayo de adhesión y proliferación y ensayo de adhesión, proliferación y supervivencia) y la hemocompatibilidad (ensayo de adhesión de plaquetas). Mediante la teoría de coloides extendida se modeló la interacción del S. aureus, proteínas plasmáticas y eritrocitos con las películas. Además, mediante una aproximación termodinámica se analizó la interacción entre proteínas plasmáticas y la sangre con los materiales. Los resultados del modelado se contrastaron con los resultados experimentales encontrando buena correlación entre ellos. Las películas de TiO2+Ag+UV presentaron una alta resistencia al desgaste, capacidad de inhibir el crecimiento del S. aureus, menor adhesión de S. aureus, inhibición de la proliferación del S. aureus adherido y una buena hemocompatibilidad. Por lo que, la combinación de técnicas y tratamientos (UV) podría ser la más adecuada para la obtener películas de TiO2+Ag+UV sobre la prótesis valvular cardíaca.Ítem Acceso Abierto Celdas solares para uso especial: optimización de procesos y caracterización(Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto de Tecnología Sabato) Tamasi, Mariana J.L.; Durán, JulioTesis para optar al título de Doctor en Ciencia y Tecnología, Mención Materiales.Ítem Acceso Abierto Diseño, elaboración, caracterización y ensayos de dispositivos fotovoltaicos para usos espaciales(Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto de Tecnología Sabato) Martínez Bogado, Mónica G.; Durán, JulioTesis para optar al título de Doctor en Ciencia y Tecnología, Mención Materiales.Ítem Acceso Abierto Simulación y modelización de paneles solares y de sistemas de potencia para aplicaciones espaciales.(Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto de Tecnología Sabato) Godfrin, Elena María; Durán, Julio Cesar; Plá, JuanTesis para optar al título de Doctor en Ciencia y Tecnología, Mención Materiales.Ítem Acceso Abierto Caracterización y modelado de celdas solares de capa delgada basadas en semiconductores orgánicos(Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto de Tecnología Sabato) Koffman Frischknecht, Alejandro; Taretto, Kurt Rodolfo; Pérez, María DoloresTesis para optar al título de Doctor en Ciencia y Tecnología, Mención Materiales.Ítem Acceso Abierto Simulación y caracterización de celdas solares multijuntura y de silicio cristalino para aplicaciones espaciales(Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto de Tecnología Sabato) Barrera, Marcela Patricia; Plá, Juan C.; Rubinelli, FranciscoTesis para optar al título de Doctor en Ciencia y Tecnología, Mención Materiales.