Nuclea :: Examinando por Autor "Merlo Flores, J."

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Acceso Abierto
Formation a base temperature de defauts dans le silicium N bombarde par des rayons γ note
(Académie des Sciences, France, 1964) Messier, J; Merlo Flores, J.
On a étudié par mesure d’effet Hall et de résistivité dans du silicium N de haute résistivité, les conditions de formation á basse température d’un niveau situé á 160 m eV de la bande de conduction. Letaux d’introduction de ce niveau en fonction de la température de bombardem ent ainsi que sa vitesse de formation á basse température, le difíérencie nettement des associations lacune-oxygéne observées par résonance nucléaire.
Acceso Abierto
Temperature dependence of hall mobility and μh/ μd for Si.
(American Chemical Society, 1963) Messier, J.; Merlo Flores, J.
The temperature dependence of the Hall mobilities has been determined a s 6 -4 x l0 9 T-2'91 and 2-4 x 108 T -2 06 for holes and electrons respectively. Using for the drift mobilities the expression found by Ludwig and Watters , 2-3 x 10° T~2'7 and 2-1 x 109 T~2'5 for holes and electrons, we have calculated the temperature dependence of μh/ μd = r, and found it coherent with the observed variation of the Hall coefficient. At 300°K, for holes μH = 398 cm2 (Vγ)-1 and γp = 0.84 and for electrons μH = 1880cm2 Vδ -1 and μH = 1:31.