Temperature dependence of hall mobility and μh/ μd for Si.
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Fecha
1963
Tipo de recurso
ARTÍCULO
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Inventor
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Solicitante
Afiliación
Fil: Messier, J. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Merlo Flores, J. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Sede CNEA
Fecha de publicación
1963
Fecha de creación
Idioma
eng
Nivel de accesibilidad
Condiciones de uso
Versión
Versión publicada
Identificador CNEA
01.63.04
Identificador (documentos oficiales)
ISBN
ISSN
Cobertura espacial
Cobertura temporal
Materia INIS
Palabras clave
HALL EFFECT
CARRIER DENSITY
SILICON
ELECTRONS MOBILITY
HOLE MOBILITY
CARRIER DENSITY
SILICON
ELECTRONS MOBILITY
HOLE MOBILITY
Macro-area temática
Formato (extensión)
1539-1542 p.
Editor
American Chemical Society
Es parte de
J. Phys. chem. solids V. 24 1963
Es parte la serie
Agrupamiento documental - Sección
Agrupamiento documental - Serie
Institución académica
Titulación
Fecha de resolución
Fecha de presentación de solicitud
Resolución
Estado
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Nº de patente
Nº de solicitud
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Campo de aplicación
Campo de desarrollo
Resumen
The temperature dependence of the Hall mobilities has been determined a s 6 -4 x l0 9 T-2'91 and 2-4 x 108 T -2 06 for holes and electrons respectively. Using for the drift mobilities the expression found by Ludwig and Watters , 2-3 x 10° T~2'7 and 2-1 x 109 T~2'5 for holes and electrons, we have calculated the temperature dependence of μh/ μd = r, and found it coherent with the observed variation of the Hall coefficient. At 300°K, for holes μH = 398 cm2 (Vγ)-1 and γp = 0.84 and for electrons μH = 1880cm2 Vδ -1 and μH = 1:31.