Development and characterization of shape memory Cu-Zn-Al thin films
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Fecha
2010-06-15
Tipo de recurso
ARTÍCULO CIENTÍFICO
Autor / Creador principal
Responsable institucional (informe)
Compilador
Diseñador
Contacto (informe)
Promotor
Titular
Inventor
Tutor de tesis
Solicitante
Afiliación
Fil.: Haberkorn, N. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina
Fil.: Lovey, F. C. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina
Fil.: Condó, A. M. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina
Fil.: Guimpel, J. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina
Sede CNEA
Centro Atómico Bariloche
Fecha de publicación
2010-06-15
Fecha de creación
Idioma
eng
Nivel de accesibilidad
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
Versión
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Identificador CNEA
Identificador (documentos oficiales)
ISBN
ISSN
1873-4944
0921-5107
0921-5107
Cobertura espacial
Cobertura temporal
Materia INIS
CAPAS FINAS
MICROESTRUCTURA
MICROESTRUCTURA
Palabras clave
Thin films
Shape memory
Cu–Zn–Al
Shape memory
Cu–Zn–Al
Macro-area temática
Formato (extensión)
4 p.
Editor
Elsevier
Es parte de
v. 170, n. 1-3
Es parte la serie
Materials Science and Engineering B
Agrupamiento documental - Sección
Producción científica
Agrupamiento documental - Serie
Contribución a revistas científicas
Institución académica
Titulación
Fecha de resolución
Fecha de presentación de solicitud
Resolución
Estado
Prioridad - fecha
Estado de licenciamiento
Nº de prioridad
Nº de patente
Nº de solicitud
País de registro
Nivel de madurez de la tecnología
Campo de aplicación
Campo de desarrollo
Resumen
Ternary Cu–Zn–Al alloys show good shape memory properties with narrow hysteresis and a wide range of martensitic transformation temperature (Ms), depending on the alloy composition. Thin films of Cu–Zn–Al with shape memory effect were grown for the first time using a new procedure. First Cu–Al thin films were obtained by DC sputtering on Si (1 0 0) substrates at room temperature, and second, the Cu–Al films were encapsulated and annealed in the presence of a Cu–Zn–Al bulk reference in order to fix a Zn vapour pressure. In this way a controlled amount of Zn is transported from the bulk reference into the film, in such a way that the Ms of the film becomes nearly the same as the bulk reference. The structures and microstructures of the as grown films were analysed by X-ray diffraction and transmission electron microscopy. The martensitic transformation temperature was determined by resistivity measurements.
Descripción
Palabras clave
Citación
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology. Vol. 170, no. 1-3 (2010), p. 5-8