Ion implantation inducing two-way shape memory effect in Cu-Al-Ni thin films

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cnea.localizacionCentro Atómico Bariloche
cnea.tipodocumentoARTÍCULO CIENTÍFICO
dc.contributor.authorMorán M.,Condó A. M. ,Suarez S. ,Soldera F., Haberkorn N.
dc.contributor.cneaproductorGerencia Física. Departamento Materia Condensada. División Bajas Temperaturas
dc.date.accessioned2024-05-07T13:36:45Z
dc.date.available2024-05-07T13:36:45Z
dc.date.issued2019-11-15
dc.description.abstractWe report two-way shape memory effect (TWSME) induced by Al ion implantation in 6 μm thick Cu-Al-Ni thin films. The films display an average grain size of 3.7 μm and a martensitic transformation temperature (MS) of ≈ 240 K. The film was irradiated with 2 MeV Al ions with a fluence of 6 × 1015 ion.cm−2 (penetration distance up to ≈ 1.1 μm). After irradiation, the film displays well defined TWSME with a radius of curvature of ≈ 1 mm. The results indicate that the irradiation produces mainly changes in the austenitic order.
dc.description.institutionalaffiliationFil.: Morán, M. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.description.institutionalaffiliationFil.: Condó, A. M. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.description.institutionalaffiliationFil.: Suarez, S. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.description.institutionalaffiliationFil.: Haberkorn, N. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.description.institutionalaffiliationexternalFil.: Soldera, F. Saarland University; Alemania
dc.description.recordsetsectionProducción científica
dc.description.recordsetseriesContribución a revistas científicas
dc.format.extent4 p.
dc.identifier.citationMaterials Letters. Vol. 255, no. (2019), p. 126569
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.1016/j.matlet.2019.126569
dc.identifier.issn0167-577X
dc.identifier.issn1873-4979
dc.identifier.urihttps://nuclea.cnea.gob.ar/handle/20.500.12553/5327
dc.language.ISO639-3eng
dc.publisherElsevier
dc.relation.ispartofv. 255
dc.relation.ispartofseriesMaterials Letters
dc.rights.accesslevelinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
dc.subject.fordCIENCIAS NATURALES
dc.subject.fordCIENCIAS FÍSICAS
dc.subject.inisCAPAS FINAS
dc.subject.inisIRRADIACION
dc.subject.keywordThin films
dc.subject.keywordIrradiation
dc.subject.keywordShape memory alloys
dc.subject.keywordCu-Al-Ni
dc.titleIon implantation inducing two-way shape memory effect in Cu-Al-Ni thin films
dc.typeARTÍCULO
dc.type.openaireinfo:eu-repo/semantics/article
dc.type.snrdinfo:ar-repo/semantics/artículo
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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