Publicación: T5 law and Matthiessen's rule
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ARTÍCULO CIENTÍFICO
Autores
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Promotor
Titular
Inventor
Tutor de tesis
Solicitante
Afiliación
Fil: Bressan, O.J. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina
Fil: Ridner, A.E. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina
Fil: de la Cruz, F. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina
Sede CNEA
Centro Atómico Bariloche
Fecha de publicación
Fecha de creación
Idioma
eng
Nivel de accesibilidad
Resumen
Precise electrical resistivity measurements on very dilute non magnetic indium alloys show no doubt in a T5 dependence on temperature between 1-4K and strong deviations from Matthiessen rule. Measurements of thermal resistivity show that the extrapolation method to obtain the data to H=0 is correct. Comparison of the results with recent theories is discussed.
Descripción
Palabras clave
Citación
O J Bressan et al 1975 J. Phys. F: Met. Phys. 5 481