Publicación: Electrical Resistivity of Fullerenes at High Pressures
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ARTÍCULO CIENTÍFICO
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Inventor
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Solicitante
Afiliación
Fil.: Núñez Regueiro, M. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina; Centre National de la Recherche Scientifique; Francia
Fil.: Bethoux, O. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia
Fil.: Mignot, J.-M. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia
Fil.: Monceau, P. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia
Fil.: Bernier, P. Université de Montpellier; Francia
Fil.: Fabre, C. Ecole Normale Supérieure; Francia
Fil.: Rassat, A. Ecole Normale Supérieure; Francia
Sede CNEA
Centro Atómico Bariloche
Fecha de publicación
Fecha de creación
Idioma
eng
Nivel de accesibilidad
Resumen
We have measured the electrical resistivity as a function of temperature up to pressures of 25 GPa of pure fullerenes C60, C70 and the compound C60I4. For the three materials the best fit in our temperature range corresponds to a three-dimensional variable-range hopping conductivity, signature of an important disorder. A dramatic decrease of the resistivity, by two orders of magnitude per GPa, is observed at low pressures. However, no metallic state is attained as all the samples present a phase transformation in the high-pressure range, probably originated by the crossover from sp2 to sp3 hybridization of the carbon orbitals at high pressures.
Descripción
Palabras clave
Citación
M. Núñez-Regueiro et al 1993 EPL 21 49