Publicación: Ion implantation inducing two-way shape memory effect in Cu-Al-Ni thin films
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Tipo de recurso
ARTÍCULO CIENTÍFICO
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Promotor
Titular
Inventor
Tutor de tesis
Solicitante
Afiliación
Fil: Morán, M. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Soldera, F. Saarland University; Alemania
Fil: Condó, A. M. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Suarez, S. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Haberkorn, N. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Universidad Nacional de Cuyo; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Sede CNEA
Centro Atómico Bariloche
Fecha de publicación
Fecha de creación
Idioma
eng
Nivel de accesibilidad
Resumen
We report two-way shape memory effect (TWSME) induced by Al ion implantation in 6 μm thick Cu-Al-Ni thin films. The films display an average grain size of 3.7 μm and a martensitic transformation temperature (MS) of ≈ 240 K. The film was irradiated with 2 MeV Al ions with a fluence of 6 × 1015 ion.cm−2 (penetration distance up to ≈ 1.1 μm). After irradiation, the film displays well defined TWSME with a radius of curvature of ≈ 1 mm. The results indicate that the irradiation produces mainly changes in the austenitic order.
Descripción
Palabras clave
Citación
Materials Letters. Vol. 255, no. (2019), p. 126569