Estudio teórico de la modificación de la respuesta espectral de un sensor de Si mediante depósito de multicapas dieléctricas para medición de radiación par

Abstract

Este trabajo presenta un estudio teórico para la elaboración de radiómetros para medir la radiación fotosintéticamente activa mediante el depósito de capas antirreflectantes sobre un sensor de silicio. Estos dispositivos están basados en los radiómetros elaborados en CNEA comenzando con el desarrollo de un instrumento que pueda medir esta radiación y proveer en un futuro próximo una herramienta confiable y de bajo costo. Se analizan la respuesta del sensor para distintos materiales dieléctricos, varios números de capas depositadas, diversos ángulos y espectros.This paper presents a theoretical study for the development of radiometers to measure photosynthetically active radiation using antireflection coating on a silicon solar sensor. These devices are based on the radiometers developed in CNEA The object is transform the low cost radiometer fabricated in CNEA in a low cost and reliable instrument to measure the PAR radiation. The response of the sensor were analyzed for different dielectric materials, numbers of layers deposited, incidence angles and spectrum.