Determinación de la profundidad de juntura en celdas fotovoltaicas de silicio monocristalino

Abstract

El presente trabajo tiene como objetivo desarrollar una metodología para la determinación en el laboratorio la profundidad de juntura de celdas fotovoltaicas. Para este fin se plantean dos métodos cuyos principios físicos difieren completamente. La aplicación de ambos métodos al mismo conjunto de muestras permite validar los resultados obtenidos mediante comparación. Como resultado de su aplicación se puede conocer la profundidad de junturas de las muestras elaboradas en el laboratorio con una precisión mejor al 10 %. Se concluye que ambas metodologías contribuyen a la caracterización de junturas p-n permitiendo mejorar las técnicas de dopado a través de ensayos de prueba y error. Por otro lado el material requerido es de uso común en cualquier laboratorio de sólidos y su implementación es de bajo costo.The present work aims to develop a methodology for laboratory determination of the junction depth of solar cells. Two methods whit different physical principles are presented. The application of both methods in the same samples validates the results obtained by comparison. As a result of applying the proposed methodologies, the junction depth of the samples samples prepared in the laboratory can be estimated whit a precision about 10%. As a conclusion, both methods contribute to characterization of p-n junctions that improve doping techniques through testing. On the other hand the required material is commonly used in Solid Physics Laboratories and its implementation is low cost.