Avances en el estudio de celdas solares basadas en materiales III-V

Abstract

Las celdas solares basadas en materiales semiconductores III-V han adquirido una gran relevancia en el mercado espacial, a la vez que comienzan a ser consideradas para aplicaciones terrestres en sistemas con concentración. En el Grupo Energía Solar (GES) de la Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA) se está trabajando en el estudio de este tipo de dispositivos en el marco de un proyecto de colaboración científica entre el GES de la CNEA y el Instituto IMEMCNR de Parma, Italia, quienes se especializan en la deposición de películas semiconductoras III-V de interés fotovoltaico mediante la técnica MOVPE (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy). Asimismo, en el tema específico de simulación de dispositivos III-V, se estableció una colaboración con el INTEC de Santa Fe extendiéndose también el estudio hacia esta área. Se presentan los avances realizados durante el último año referidos a la caracterización de estructuras crecidas por MOVPE, optimización y simulación numérica de dispositivos, y finalmente la caracterización electrónica de los mismos.Solar cells based on III-V semiconductor materials have acquired great relevance in the market of devices for space applications, and they began to be considered for terrestrial applications in concentration systems. Studies about this type of devices are being carried out in the Solar Energy Group (GES) of the National Atomic Energy Commission (CNEA) in the frame of a scientific collaboration project between GES-CNEA and the IMEM-CNR Institute from Parma, Italy, who are specialists in the deposition of III-V semiconductor films of photovoltaic interest using the MOVPE (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy) technique. In the specific issue of simulation of III-V devices a collaboration with the INTEC Institute from Santa Fe, Argentina, was established by extending the study also to this area. Advances performed in the last year referred to material characterization of structures grown by MOVPE, optimization and numerical simulation of devices, and finally the electronic characterization of III-V devices are presented.