Publicación: Estabilidad de defectos Frenkel en estructuras hcp y bcc
Cargando...
Archivos
Fecha
Tipo de recurso
TESIS DE MAESTRÍA
Autores
Responsable institucional (informe)
Compilador
Diseñador
Contacto (informe)
Promotor
Productor
Titular
Inventor
Tutor de tesis
Solicitante
Afiliación
Fil: Barrios, Luis A. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Sede CNEA
Fecha de publicación
Fecha de creación
Idioma
spa
Nivel de accesibilidad
Resumen
Tesis para optar al título de Magister en Ciencia y Tecnología de Materiales
El estudio y conocimiento de las propiedades básicas de los defectos microestructurales en cristales es de primordial importancia para la comprensión de los mecanismos que llevan al comportamiento macroscópico del material. En este trabajo se determina, mediante la técnica de simulación por computadora, el volumen de recombinación (VR) de pares Frenkel para modelos de materiales Zr-alfa y Fe-alfa, de estructuras hcp y bcc respectivamente. Para ello se usan potenciales de muchos cuerpos del tipo átomo embebido (EAM). A partir de estos volúmenes y la migración propuesta para los defectos puntuales involucrados, se evalúan los coeficientes de recombinación. Se simulan también cristales sometidos a diferentes tensiones hasta valores correspondientes a deformaciones del 1por ciento, observándose el comportamiento de la zona de recombinación. El VR en Fe-a obtenido en este trabajo es muy similar a los calculados previamente : la extensión en forma de lóbulos en la dirección <111> es común en todos los casos.
El estudio y conocimiento de las propiedades básicas de los defectos microestructurales en cristales es de primordial importancia para la comprensión de los mecanismos que llevan al comportamiento macroscópico del material. En este trabajo se determina, mediante la técnica de simulación por computadora, el volumen de recombinación (VR) de pares Frenkel para modelos de materiales Zr-alfa y Fe-alfa, de estructuras hcp y bcc respectivamente. Para ello se usan potenciales de muchos cuerpos del tipo átomo embebido (EAM). A partir de estos volúmenes y la migración propuesta para los defectos puntuales involucrados, se evalúan los coeficientes de recombinación. Se simulan también cristales sometidos a diferentes tensiones hasta valores correspondientes a deformaciones del 1por ciento, observándose el comportamiento de la zona de recombinación. El VR en Fe-a obtenido en este trabajo es muy similar a los calculados previamente : la extensión en forma de lóbulos en la dirección <111> es común en todos los casos.
