Publicación: Recristallisation secondaire et recristallisation apres ecrouissage critique de l'uranium de haute purete
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ARTÍCULO CIENTÍFICO
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Inventor
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Solicitante
Afiliación
Fil.: Ambrosis De Libanati, Nelly Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Fil.: Calais, Daniel Centre de Recherches Métallurgiques de l'Ecole des Mines de Paris; Francia
Lacombe, Paul Centre de Recherches Métallurgiques de l'Ecole des Mines de Paris; Francia
Sede CNEA
Fecha de publicación
Fecha de creación
Idioma
fre
Nivel de accesibilidad
Resumen
On a observé sur de l'uranium de haute pureté (d'origine électrolytique) la croissance de gros grains soit par recristallisation secondaire consécutive à un écrouissage par laminage élevé et recuit prolongé en haut de la phase α, soit par écrouissage critique et recuit appliqué à une texture de recristallisation primaire. Seul l'uranium de haute pureté donne naissance à ces deux types de croissance de gros grains. Ces deux méthodes de croissance fournissent donc un critère qualitatif très sûr de la pureté de l'uranium. La recristallisation secondaire donne naissance à des cristaux de plus petite dimension que la croissance après écrouissage critique, car il subsiste toujours, quelle que soit la durée et la température du recuit, des restes de la texture à grains fins de recristallisation primaire. Par écrouissage critique au contraire, il est possible d'obtenir de très gros grains très parfaits (de 1 à 3 cm2 de surface) avec disparition complète de la texture de recristallisation primaire. Les orientations cristallines d'un très grand nombre de grains formés par les deux méthodes de croissance ont été déterminées par diagramme de Laue en retour. Les cristaux de recristallisation secondaire possèdent une texture beaucoup plus prononcée que celle développée par la croissance de cristaux par écrouissage critique. Cependant dans les deux cas, il est remarquable que l'axe de tous les cristaux semble jouer un rôle essentiel dans la croissance puisqu'il est toujours sensiblement orienté parallèlement à la direction de laminage. C'est seulement dans le cas où l'écrouissage appliqué à la texture de recristallisation primaire dépasse nettement le taux d'écrouissage critique que l'on observe la croissance par recuit ultérieur de cristaux ayant des orientations très diverses. On a tenté d'expliquer ces deux modes de croissance par recristallisation secondaire ou par écrouissage critique en reliant les textures de déformation obtenues par écrouissage élevé par laminage aux textures soit de recristallisation secondaire, soit de recristallisation après écrouissage critique.