El sistema tantalio hidrógeno.

Abstract

Las recientes investigaciones realizadas con el objeto de estudiar las cinéticas de absorción de hidrógeno por tantalio mediante la resistencia eléctrica , mostraron que el estado superficial del tantalio controlaba fundamentalmente la cinética de absorción y que dicho control superficial disminuía cuando los vacíos, en que se calentaba el metal, se hacían más elevados, de forma tal que no fue posible obtener cinéticas reproducibles. Las cinéticas como ya se ha dicho, se seguían mediante la variación de la resistencia eléctrica bajo la hipótesis de que el incremento de ésta, era proporcional a la cantidad de hidrógeno absorbido. El presente trabajo se propone estableper una relación entre el aumento de resistencia eléctrica y la cantidad de hidrógeno en solución en las condiciones experimentales adecuadas que permitan mantener libre de impurezas la superficie del absorbente, con el objeto de realizar un estudio cinético de la absorción y desorción de hidrógeno por tantalio. El capítulo I consiste en una breve reseña de los principales estados posibles por los que deben atravesar los átomos del gas hasta introducirse en el sólido, para luego difundir en él y de la influencia que tienen los intersticiales sobre la resistencia eléctrica. Finaliza el mismo, conun resumen de los principales trabajos relacionados con el tema. El capítulo II encara el estudio de la ecuación de difusión en un cilindro infinito desde dos puntos de vista; uno si la cinética es seguida por gravimetría o volumetría y el otro si dicha cinética es seguida por la resistencia eléctrica. En el capitulo III, se realiza una descripción detallada del equipo utilizado y en el capitulo IV, se esumeran los resultados experimen tales asi como también los cálculos realizados. Finalmente en el capítulo V se exponen las conclusiones alcanzadas. Cabe mencionar que un análisis más amplio de los puntos encarados en el capitulo I, pueden encontrarse en el trabajo referido anterior mente , en lo respectivo a los dos primeros.