Evidencia de la contribución de los procesos horizontales a la resistencia térmica de metales.

Abstract

Hemos medido la resistividad eléctrica p y térmica W de dos muestras de indio policristalino de alta pureza entre 1 y 4 K. Los datos de resistividad eléctrica se ajustan solamente por una expresión de la forma p=p0+gj5.o (Bressan y otros, 1974) y para el producto de la resistencia térmica por la temperatura se obtiene WT = (WT) 0 + AT^ + BT^ donde p0 y (WT) 0 provienen del scattering electrón-impureza y los coeficientes 6 , A y B dependen solamente de la pureza de la muestra. De p0 y (WT) 0 se obtiene el número de Lorenz dentro del 15Z del que corresponde a electrón libre. El mismo valor se obtiene del coeficiente 8 T5/BT^. Esto apoya experimentalmente la hipótesis que el término BT5 en W proviene del mismo proceso de termalización que el BT^, es decir una "difusión" de los electrones sobre la superficie de Fermi (procesos "horizontales").