DEPARTAMENTO ENERGÍA SOLAR
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Examinando DEPARTAMENTO ENERGÍA SOLAR por Materia "DEFECTOS"
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Ítem Acceso Abierto 10 MeV proton irradiation effects on GaInP/GaAs/Ge concentrator solar cells and their component subcells(Elsevier Science, 2017-01) Ochoa, M.; Yaccuzzi, Exequiel Eliseo; Espinet-González, P.; Barrera, Marcela Patricia; Barrigón, E.; Ibarra, María Luján; Contreras, Y.; García, Javier Andrés; López, E.; Algora, C.; Alurralde, Martín Alejo; Godfrin, E.M.; Rey-Stolle, I.; Plá, Juan Carlos; Comisión Nacional de Energía Atómica. Departamento de Energía SolarIn this paper, the experimental results of a 10 MeV proton irradiation on concentrator GaInP/GaAs/Ge lattice-matched triple-junction solar cells and their corresponding subcells are examined. Electro-optical characterization such as external quantum efficiency, light and dark I-V measurements, is performed together with theoretical device modeling in order to guide the analysis of the degradation behavior. The GaInP (on Ge) and Ge cell showed a power loss between beginning of life and end of life of about 4% while the GaInP/GaAs/Ge and GaAs solar cells exhibited the highest damage measured of 12% and 10%, respectively for an irradiation fluence equivalent to an 8-years satellite mission in Low Earth Orbit. The results from single-junction solar cells correlate well with those of triple-junction solar cells. The performance of concentrator solar cells structures is similar to that of traditional space-targeted designs reported in literature suggesting that no special changes may be required to use triple junction concentrator solar cells in space.Ítem Acceso Abierto Avances en la implementación de la técnica DLTS en el Departamento Energía Solar de la CNEA(Asociación Argentina de Energía Solar, 2014-10) Garcia, Javier Andrés; Alurralde, Martín Alejo; Plá, Juan Carlos; Comisión Nacional de Energía Atómica. Departamento de Energía SolarEl estudio del daño por radiación en celdas solares es de primordial importancia para el diseño de los paneles solares para misiones satelitales. La caracterización del efecto del daño por radiación en celdas solares requiere implementar técnicas que permitan determinar la naturaleza de dicho daño, en particular la energía y densidad de los defectos inducidospor la radiación. Una de estas técnicas es la denominada Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS), que permite determinar de forma experimental la estructura de defectos en una juntura semiconductora. En el presente trabajo se muestran las primeras etapas de la implementación de la mencionada técnica en el Departamento Energía Solar de la CNEA. Asimismo, se muestran simulaciones numéricas de los transitorios de capacidad de junturas semiconductoras a partir de expresiones analíticas y la simulación de experimentos de DLTS a partir de estos transitorios. Finalmente, de los espectros resultantes se extraen las energías, y otros parámetros característicos, de los defectos introducidos a priori en la simulación.Ítem Acceso Abierto Dinámica de clusters de vacancias en Silicio(Asociación Física Argentina, 2007) Smetniansky De Grande, N.; Alurralde, Martín Alejo; Fernández, J.R.; Comisión Nacional de Energía Atómica. Departamento de Energía SolarSe estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño de estos últimos se debe a la absorción o emisión de una vacancia por vez. Se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados y su dependencia con la irradiación y la temperatura. Los resultados muestran que aún a temperaturas relativamente bajas (100°C) y a bajos valores de irradiación, la aglomeración de vacancias se ve favorecida por la irradiación de protones.