DEPARTAMENTO ENERGÍA SOLAR
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Examinando DEPARTAMENTO ENERGÍA SOLAR por Materia "ABUNDANCIA"
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Ítem Acceso Abierto Colaboración italo-argentina para el estudio de celdas solares basadas en materiales III-V(Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES), 2006) Plá, Juan Carlos; Barrera, Marcela Patricia; Bosi, M.; Pelosi, C.; Attolini, G.; Rubinelli, F.; Fortin, S.; Martínez Bogado, Mónica Gladys; Comisión Nacional de Energía Atómica. Departamento de Energía SolarDentro de las distintas alternativas para la fabricación de dispositivos fotovoltaicos se destacan sobre el resto dos tipos de materiales semiconductores cristalinos. Uno de ellos es el Si, de reconocido uso en aplicaciones terrestres de la conversión fotovoltaica (FV), mientras que en los últimos años los materiales III-V como base para la fabricación de celdas solares multijuntura han ganado un lugar más que destacado en aplicaciones espaciales. Considerando el consecuente interés que despiertan este tipo de dispositivos, se estableció una colaboración científica entre el GES de la CNEA y el Instituto IMEM-CNR de Parma, Italia, a fin de realizar estudios dirigidos a una mejor comprensión del funcionamiento y de las técnicas de fabricación y caracterización asociadas a las celdas solares basadas en materiales semiconductores III-V. Se presentan entonces las actividades realizadas hasta el momento en la deposición de películas semiconductoras por MOVPE, la optimización y simulación numérica de dispositivos, y finalmente la caracterización electrónica de los mismos.Ítem Acceso Abierto Numerical simulation of III-V solar cells using D-AMPS(25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition / 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion,, 2010) Barrera, Marcela Patricia; Rubinelli, F.; Plá, Juan Carlos; Rey-Stolle, I.; Comisión Nacional de Energía Atómica. Departamento de Energía SolarNumerical simulation of devices plays a crucial role in their design, performance prediction, and comprehension of the fundamental phenomena ruling their operation. Here, we present results obtained using the code D-AMPS-1D, that was conveniently modified to consider the particularities of III-V solar cell devices. This work, that is a continuation of a previous paper regarding solar cells for space applications, is focused on solar cells structures than find application for terrestrial use under concentrated solar illumination. The devices were fabricated at the Solar Energy Institute of the Technical University of Madrid (UPM). The first simulations results on InGaP cells are presented. The influence of band offsets and band bending at the window-emitter interface on the quantum efficiency was studied. A remarkable match of the experimental quantum efficiency was obtained. Finally, numerical simulation of single junction n-p InGaP-Ge solar cells was performed.