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Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices

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cnea.tipodocumentoARTÍCULO CIENTÍFICO
dc.contributor.authorSambuco Salomone, Lucas Ignacio
dc.contributor.authorGarcía Inza, Mariano Andrés
dc.contributor.authorCarbonetto, Sebastián Horacio
dc.contributor.authorLipovetzky, José
dc.contributor.authorRedin, Eduardo Gabriel
dc.contributor.authorFaigon, Adrián Néstor
dc.date.accessioned2025-12-11T23:20:02Z
dc.date.available2025-12-11T23:20:02Z
dc.date.issued2022-04
dc.description.abstractRadiation-induced charge neutralization at different bias is studied for 230 nm p-channel MOS dosimeters under γ-radiation. A physics-based numerical model is employed to reproduce the experimental results. Good agreement is obtained between measurements and simulations considering capture and neutralization rates independent of electric field during neutralization stages. Sensitivity curves during neutralization stages show a two part process consisting of a slow decrease for short times followed by a rapid fall. Remarkably, the model predicts this behavior and allows to understand that in terms of the potential well generated due to trapped holes within the oxide.
dc.description.institutionalaffiliationFil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.institutionalaffiliationFil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.institutionalaffiliationFil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.institutionalaffiliationFil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina
dc.description.institutionalaffiliationFil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires; Argentina
dc.description.institutionalaffiliationFil: Faigon, Adrián Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.identifier.issn1350-4487
dc.identifier.urihttps://nuclea.cnea.gob.ar/handle/20.500.12553/8078
dc.publisherPergamon-Elsevier Science Ltd
dc.relationinfo:eu-repo/semantics/reference/hdl/11336/212492
dc.relationinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1350448722000415
dc.relationinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/https://doi.org/10.1016/j.radmeas.2022.106745
dc.rights.licensehttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subjectMOS DOSIMETRY
dc.subjectMOSFETS
dc.subjectNUMERICAL MODELING
dc.subjectIngeniería Eléctrica y Electrónica
dc.subjectIngeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información
dc.subjectINGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
dc.titleNumerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices
dc.typeARTÍCULO
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