Modelado de la evolución de defectos puntuales en Si

Abstract

En este trabajo se estudia la movilidad y aglomeración de vacancias, utilizando la técnica de Monte Carlo cinético, en la red cristalina del Si a temperaturas relativamente bajas. En una primera etapa se utiliza el algoritmo de Metrópolis para simular el proceso de nucleación y crecimiento de aglomerados. En una segunda etapa se reemplaza éste por el algoritmo de Bortz, Kalos y Lebowitz que permite acelerar los tiempos de simulación cuando el algoritmo anterior se hace ineficiente. Los resultados obtenidos con la aplicación de ambos algoritmos se comparan con los correspondientes a un trabajo previo basado en un modelo de evolución en el continuo

In this work, the mobility and clustering of vacancies in Si is studied using kinetic Monte Carlo technique at relatively low temperatures. In a first stage the Metropolis algorithm is used to simulate the clusters nucleation and growth. In a second stage the latter is replaced by the algorithm of Bortz, Kalos and Lebowiz that allows to accelerate the simulation time when the former algorithm becomes inefficient. Results obtained from the application of both algorithms are compared with those corresponding to a previous work based on an evolution model in the continuum